- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в квазибинарных твердых растворах Al(x)Ga(1-x)As
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2009
Кількість сторінок:
174
Артикул:
7185 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптические явления в соединениях Pb1-xSnxTe обусловленные свободными носителями
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : λ = 1.3-1.55 мкм
- Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP
- Электромагнитные колебания периодически-неоднородной плазмы полупроводников во внешних полях
- Дефектная структура распадающихся полупроводниковых твердых растворов
- Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона, работающие на модах шепчущей галереи
- Фотоиндуцированные изменения в светочувствительных халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Коллективные явления в проводимости квазиодномерных (пайерлсовских) и квазидвумерных сверхпроводящих кристаллов
- Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs
- Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе