- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в квазибинарных твердых растворах Al(x)Ga(1-x)As
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2009
Кількість сторінок:
174
Артикул:
7185 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
- Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе
- Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения
- Принципы построения и свойства гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs
- Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников
- Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности
- Аномальный транспорт и спиновая динамика в двумерных полупроводниковых системах
- Низкотемпературная туннельная спектроскопия и сканирующая туннельная микроскопия халькогенидов свинца
- Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства низкоразмерных гетероструктур на основе узкозонных соединений A3B5