- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в квазибинарных твердых растворах Al(x)Ga(1-x)As
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2009
Кількість сторінок:
174
Артикул:
7185 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
- Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN
- Влияние анизотропии упругих свойств на спинодальный распад в твердых растворах полупроводников типа A3 B5 и A2 B6
- Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2?S4 и ZnAl2?S4
- Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии
- Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с дислокациями в килогерцевом диапазоне
- Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом
- Кинетические свойства размерно-квантованных систем в электрическом и магнитном полях
- Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения
- Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда