- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
Тип работы:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Год:
2004
Артикул:
7423 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование)
- Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx : Н
- Поляризационно-селективные свойства четырехслойных оптических диэлектрических волноводов
- Субмиллиметровая спектроскопия двумерных полупроводниковых структур в сильном магнитном поле
- Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
- Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда
- Теория энергетического спектра кристаллического теллура и селена
- Собственное оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов полупроводников A3B5
- Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3) на поверхности кремния
- Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения