- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование)
Тип роботи:
Дис. д-ра физ.-мат. наук
Рік:
2003
Артикул:
7495 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
- Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O)
- Динамика решетки, оптические и электрофизические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe
- Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe
- Коллективные явления в суперионных проводниках
- Коллективные эффекты в электрон-дырочной плазме и их влияние на излучательную рекомбинацию в полупроводниковых низкоразмерных лазерных гетероструктурах
- Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда
- Влияние примесей и молекулярного окружения на оптические свойства квантовых точек селенида кадмия
- Особенности процесса переноса внедряемых ионов и атомов отдачи при имплантации в твердые тела
- Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе