- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование)
Тип роботи:
Дис. д-ра физ.-мат. наук
Рік:
2003
Артикул:
7495 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез
- Прямая и обратная задачи теории кинетических коэффициентов в изотропном приближении
- Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO_2 на кремнии
- Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
- Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников
- Исследование термодинамических свойств многокомпонентных соединений AIIIBV методом поля валентных сил
- Влияние одноосной деформации на физические свойства соединений типа Сu2S и Cu2Se
- Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова
- Кинетические свойства полупроводниковых кристаллов, легированных магнитными примесями
- Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111)