- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2008
Количество страниц:
132
Артикул:
7215 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
- Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых δ-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала
- Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5
- Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение
- Радіаційна модифікація електрофізичних і оптичних властивостей кристалів GaAs і CdS для створення на їх основі лазерів великої потужності
- Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
- Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда
- Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного Z-легированного слоя в GaAs
- Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбидов кремния
- Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H