Ви є тут

Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя p-n - перехода

Автор: 

Ионычев Валерий Константинович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000218300

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электронный энергетический спектр неоднородных, пространственно ограниченных и слоистых полупроводниковых структур
• Оптические свойства гетероинтерфейсов типа II в теории сильной связи
• Резонансы и локализованные состояния в сложных наноструктурах
• Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5
• Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения
• Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов
• Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов и квантоворазмерных структур
• Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда
• Особенности распределения заряженных центров в области пространственного заряда оптоэлектронных структур при их формировании, термополевых и радиационных воздействиях
• Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит