Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
Список основных используемых в работе обозначений и сокращений
Гл. 1. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Эффект ФранцаКелдыша в кристаллах.
1.2. Учт экситонных эффектов
1.3. Квантоворазмерный эффект Штарка.
1.3.1. Уровни размерного квантования в квантовых ямах.
1.3.2. Влияние электрического поля на уровни
размерного квантования.
1.3.3. Экспериментальные работы по наблюдению влияния внешнего электрического поля на одиночные
квантовые ямы
1.4 Фото и электроотражение как методы исследования
полупроводниковых материалов и структур
1.4.1. Исследование ОаАэ методами
фото и электроотражения
1.4.2. Фото и электроотражение квантовых ям.
Выводы по 1 главе
Гл. 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА И ИССЛЕДОВАННЫЕ ОБРАЗЦЫ
2.1. Модернизация установки для измерения спектров фото и
электроотражения .
2.1.1. Функциональная схема и аппаратурная реализация
Ф 2.1.2. Технические данные модернизированной установки
2.1.3. Методика измерений спектров фото и электроотражения
2.2. Характеристики исследованных образцов
2.2.1. Образцы эпитаксиальных слов СаАэ
2.2.2. Образцы одиночных квантовых ям 1п,СаЛзСаА8
Выводы по 2 главе
Гл. 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОВ ОаАэ
3.1. Определение напряжнности внутреннего электрического поля по спектрам фото и электроотражения
3.1.1. Традиционный метод
3.1.2. Определение напряжнности с учтом вклада тяжлых
и лгких дырок метод быстрого преобразования Фурье.
3.2. Бесконтактная характеризация эпитаксиальных слов
сверхчистого ОаАэ.
3.2.1. Результаты исследования ваАБ методом фотоотражения при комнатной температуре
3.2.1.а. Область энергий
3.2.1.6. Область энергий
3.2.2. Исследование ваАБ методом фотоотражения
при низкой температуре.
Выводы по 3 главе
Гл. 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОДИНОЧНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ пСаАзАЗаАз 4.1. Влияние внешнего электрического поля на одиночную
квантовую яму.
4.2. Экспериментальные результаты и их обработка
4.2.1. Идентификация оптических переходов в квантовой яме.
4.2.2. Влияние электрического поля на энергетический спектр одиночной КЯ 1п,ОаА8АЗаА8
4.2.3. Выявление механизмов модуляции, ответственных за формирование спектров фото и электроотражения
одиночных квантовых ям
4.3. Изменение вероятности оптических переходов в КЯ
под действием электрического поля
Выводы по 4 главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА