- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2006
Кількість сторінок:
148
Артикул:
7312 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптические свойства квантовых нитей CdSe/Al2 O3 и квантовых точек CdSe/ZnSe
- Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3 В5 с низкой термодинамической устойчивостью
- Исследование оптических свойств тонких пленок фуллерен-порфириновых комплексов
- Моделирование гетероперехода и сверхрешетки на основе ферромагнитного полупроводника EuS и парамагнитного полупроводника SmS
- Оптическая и магнитооптическая спектроскопия ZnSe и низкоразмерных гетеросистем на его основе
- Фотоэлектрические преобразователи энергии на основе антимонида галлия и твердых растворов GaInAsSb
- Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния
- Исследование возможности использования тонкопленочных монолитных слоистых структур для создания устройств обработки широкополосных сигналов и мониторинга окружающей среды
- Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : ? = 1.3-1.55 мкм