- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2006
Кількість сторінок:
148
Артикул:
7312 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
- Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs
- Экситоны в низкоразмерных анизотропных структурах и магнитном поле
- Нелинейные колебательные системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур
- Исследование временной стабильности и моделирование параметров фотоприемников из антимонида индия с целью оптимизации их конструкции и технологии
- Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP
- НЕЛИНЕЙНАЯ ДИНАМИКА ШНУРОВ ТОКА И ФРОНТОВ ИОНИЗАЦИИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ КЛЮЧЕВОГО ТИПА
- Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (?=2-5 мкм)
- Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si
- Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца