Ви є тут

Электронное состояние поверхности GaAs и InP : Диагностика, управление, пассивация

Автор: 

Бедный Борис Ильич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000196025

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов
• Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
• Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия AIIIBV - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе
• Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике α-Fe2 O3
• Методы формирования трёхмерных микро- и наноструктур на основе напряжённых SiGe/Si плёнок
• Дефекты с глубокими уровнями в структурах А3В5 и их взаимодействие с квантовыми точками
• Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
• Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов (AgInTe/2)/x (2HgTe)/1-x
• Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4
• Люминесценция кристаллов вольфраматов двухвалентных элементов и свинца