СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ДЕФЕКТЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ В ПОЛУ ПРОВОДНИКАХ И МОП СТРУКТУРАХ Аналитический обзор
1.1. Дефектообразование в арсениде галлия и системе кремнийдиоксид кремния
1.1.1. Дефекты с глубокими уровнями в арсениде галлия
1.1.2. Радиационные дефекты в кремнии
1.1.3. Дефекты в ЭЮг и на границе БьБЮг
1.2. Анализ процессов формирования радиационно индуцированного заряда в кремниевой МОП структуре.
1.3. Метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней
в полупроводниках.
1.3.1. Метод ЭИЛТ основы метода и проблемы реализации
1.3.2. Способы повышения разрешающей способности.
1.4. Электрофизические методы спектроскопии поверхностных состояний и определения параметров МОП структуры
1.4.1. Емкостные методы
1.4.2. Бесконтактный метод Кельвина
Цели и задачи
ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ МЕТОДАМИ РЕЛАКСАЦИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ.
2.1. Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках.
2.1.1. Алгоритм статистической обработки и анализа зависимостей изотермической релаксации емкости.
2.1.2. Автоматизированный ОПТ спектрометр.
2.1.3. Результаты и обсуждение.
2.2. Спектроскопия глубоких уровней методом Ьар1асеОЬТ8.
2.3. Определение симметрии точечных дефектов
методом Ьар1асеОЬТ8
Выводы к главе 2.
ГЛАВА 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ДЕФЕКТОВ И ПРОГНОЗ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ МОП ТРА1ТЗИСТОРОВ.
3.1. Физикоматематическая модель накопления и релаксации радиационноиндуцированного заряда.
3.2. Анализ процессов радиационной деградации
3.3. Методика определения параметров дефектов и
прогнозирования радиационной стойкости
Выводы к главе 3
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ФЛУКТУАЦИЙ И ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА СВОЙСТВА МОП СТРУКТУРЫ.
4.1. Флуктуационная модель вольтфарадной характеристики
МДГ1 структуры
4.2. Методы исследования и экспериментальные установки
4.3. Экспериментальные результаты и обсуждение
Выводы к главе 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922