Вы здесь

Электронное состояние поверхности GaAs и InP : Диагностика, управление, пассивация

Автор: 

Бедный Борис Ильич

Тип работы: 

Докторская

Год: 

1998

Артикул:

1000196025

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Взаимодействие дефектов в кристаллической решетке теллурида кадмия
• Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Исследование физических свойств ВТСП купратов в рамках модели сверхпроводящего спаривания с отталкивательным взаимодействием
• Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках
• Электронные процессы в гетероструктурах на основе монокристаллического кремния и неупорядоченных материалов
• Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
• Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона
• Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях
• Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
• Исследование физических процессов при электретировании диэлектрических пленок в плазме газового разряда и разработка электретных датчиков