- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324586 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Моделирование роста атомно-тонких пленок на подложках со сложной морфологией
- Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе
- Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
- Динамика решетки, оптические и электрофизические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe
- Электромагнитные колебания периодически-неоднородной плазмы полупроводников во внешних полях
- Спонтанное формирование полупроводниковых наноструктур
- Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур
- Исследование динамических режимов работы газовых сенсоров с целью повышения их избирательности
- Акустооптическая брэгговская дифракция многокомпонентного оптического излучения