- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324586 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Локализованные состояния и флуктуации в графене
- Поверхностные упругие, магнитостатические и магнитоупругие волновые процессы в неоднородных твердых телах
- Определение неоднородностей проводимости и фотопроводимости полупроводниковых пластин по взаимодействию с миллиметровыми и субмиллиметровыми волнами
- Фотоинжекция водорода в твердых телах
- Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
- Периодические неоднородности, сформированные на поверхности полупроводниковых приборов с гетеропереходом
- Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
- Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs
- Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки
- Дефекты с глубокими уровнями в структурах А3В5 и их взаимодействие с квантовыми точками