- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7241 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки
- Структура пленок аморфного германия
- Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений
- Долгоживущая спиновая поляризация в наноструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками
- Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния
- Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности
- Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники
- Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs_1-yN_y и In_xGa_1-xAs_1-yN_y твердых растворах
- Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния
- Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5