- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7241 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка
- Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии
- Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста
- Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах
- Исследование физической природы гетеропереходов органический-неорганический полупроводник и их применение
- Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Планарная неоднородность и радиационные эффекты в МДП структурах
- Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния
- Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN
- Исследование влияния состояния границы раздела на электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода ZnTe-CdSe