- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7241 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Структурно-компенсационный фактор радиационной стойкости высокоглиноземистых керамических диэлектриков
- Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников
- Оптические исследования тонких пленок молекулярных органических полупроводников фталоцианинового ряда
- Влияние внешних воздействий на структуру и некоторые физические свойства фосфида галлия и кремния
- Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах
- Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка
- Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров
- Накопление дефектов в облучаемом ионами кремнии при пониженной плотности каскадов смещений
- Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау
- Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса