- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs
Тип работы:
кандидатская
Год:
2001
Количество страниц:
217
Артикул:
135788 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе
- Исследование физической природы гетеропереходов органический-неорганический полупроводник и их применение
- К теории электронных процессов в гомо- и гетероструктурах как быстродействующих пороговых фотоприемниках с внутренним усилением
- Модифицирование дефектной структуры полупроводников низкоэнергетическими воздействиями
- Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия
- Физико-химические процессы в расплаве на границах раздела фаз при направленной кристаллизации оксидных соединений
- Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности
- Вторичное свечение в пленках тетраэдрического углерода при лазерном возбуждении
- Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах
- Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров