Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. Ионная имплантация как метод управления электрофизическими и оптическими свойствами соединений
1.1 Дефектообразование и термодинамика процессов равновесной самокомпенсации Ю
5 1.2 Особенности радиационного дФектообразования
в в11. .И
1.3 Ионное легирование соединений АУ.
Выводы. Постановка задачи
ГЛАВА П. Исследование электрических и оптических свойств
низкоомных слоев ионнолегированных Ь . .3 2.1 Методика получения ионнолегированных индием слоез
гле . Измерение электрофизических параметров. . . 2.2 Электрофизические параметры слоев селенида цинка,
ионнолегированного индием.
2.3 йотолюмрнесцентдая селенида цинка, имплантированного
индием..ЗЯ
А 2.4 Обсуадение результатов .
ГЛАВА Ш. Дырочная проводимость селенида цинка, ионнолегированного мышьяком . Я
3.1 Особенности приготовления ионнолегированных слоев
2.пе ртипа и методика измерения их электрофизических параметров
Ь 3.2 Электрические и оптические характеристики слоев
селенида цинка, ионнолегированного .
3.3 Обсуждение результатов. . . . . .
ГЛАВА 1У. Излучащие структуры с барьером Шогтки и импланта
ционным рппереходом на основе селенида цинка. .
4.1 Особенности излучающих структур на основе широко
зонных соединений АВ
8 4.2 Технология приготовления к методика исследования
излучающих структур
8 4.3 Сравнительные исследования инфекционной электролюминесценции в структурах с барьером Шоттки и имп
лангационным рппереходом.
8 4.4 Обсуждение результатов .
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.2
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ