- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2000
Кількість сторінок:
133
Артикул:
135641 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика
- Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
- Особенности поведения узкозонных полупроводников во внешних полях
- Спонтанное формирование полупроводниковых наноструктур
- Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN
- Изменения оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников системы мышьяк-селен, стимулированные внешними воздействиями
- Оптические свойства пористых низкоразмерных структур на основе кремния и фосфида галлия
- Електролюмінесценція та енергетичний спектр дефектів тонкоплівкових планарних і торцевих ZnS:Er,F- і ZnS:Cr-структур
- Процессы испарения и кристаллизации окисных сло#в на германии
- Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов