- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2000
Кількість сторінок:
133
Артикул:
135641 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности электронно-энергетического строения и оптических свойств нанокомпозитов с железом и кобальтом в пористом кремнии
- Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация
- Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2
- Дефекты, кристаллографическое упорядочение, свойства оксидов со структурой граната
- Изучение обусловленных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии
- Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (?=2-5 мкм)
- Многофононные процессы в двухэлектронных примесных центрах и комплексах полупроводников
- Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники
- Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах
- Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs