- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2000
Кількість сторінок:
133
Артикул:
135641 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
- Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0?X?0,015)
- Экситонные и плазмонные эффекты в неидеальных вюрцитных полупроводниковых кристаллах и наноструктурах
- Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr
- Оптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе молекулярных комплексов фталоцианинов, содержащих ионы лантанидов в качестве комплексообразователя
- Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
- Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния
- Электронные спектры Cd Ga/2 Se/4 и Cd Ga/2 S/4 в области 2- 6 эВ
- Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов