Ви є тут

Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs

Автор: 

Власов Юрий Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2012

Артикул:

1005424376

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором
• Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка
• Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
• Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
• Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x
• Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
• Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ
• Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия AIIIBV - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе
• Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп
• Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла (Cr, Co) и кремния