Ви є тут

Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники

Автор: 

Федоров Вячеслав Александрович

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1996

Артикул:

1000211347

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Диэлектрическая релаксация и процессы переключения в сегнетоэлектриках в быстронарастающих сильных электрических полях
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота
• Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
• Создание и исследование инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе РbS1-xSex
• Кинетические свойства полупроводниковых кристаллов, легированных магнитными примесями
• Теплофизические свойства халькогенидов редкоземельных элементов переменного состава
• Влияние электрического поля на магнитосопротивление германия и арменида галлия
• Изучение обусловленных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии
• Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы
• Магнитооптика и экситонное поглощение в тонких кристаллах и гетероструктурах на основе арсенида галлия