Ви є тут

Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники

Автор: 

Федоров Вячеслав Александрович

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1996

Артикул:

1000211347

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La_1-x Sr_x MnO_3 (X=0,175)
• Собственное оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов полупроводников A3B5
• Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка
• Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
• Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором
• Поля дефектов и форма резонансных линий
• Кинетические и контактные явления в анизотропных и неоднородных полупроводниках
• Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников
• Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
• Морфология эпитаксиальных слоёв при неизотропной атомной диффузии : Моделирование