Ви є тут

Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках

Автор: 

Воробьев Юрий Васильевич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1983

Артикул:

452772

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия
• Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников
• Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках
• Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
• Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур
• Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx)Si с различными металлическими контактами
• Анизотропия магнитооптического поглощения в полупроводниковых многоямных квантовых структурах с примесными молекулами
• Определение энергетического спектра гетероструктур с квантовыми ямами в системе InGaAs/GaAs по данным спектроскопии адмиттанса
• Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона
• Магнитооптика квантовых проволок и сужений с D-- и D-2-центрами