- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода
Тип работы:
кандидатская
Год:
2000
Количество страниц:
133
Артикул:
135641 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Самоупорядоченные наноразмерные структуры на основе твердого раствора кремний-германий, полученные методом ионной имплантации
- Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Кинетические свойства полупроводниковых кристаллов, легированных магнитными примесями
- Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP
- Магнитоупругая динамика марганец - цинковых ферритов в области спиновой переориентации
- Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
- Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты
- Электронно-ионное взаимодействие и туннельный эффект в кремниевых структурах металл–окисел–полупроводник
- Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций в кремнии вблизи концентраторов напряжений
- Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U