- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324385 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Диэлектрические свойства стекол в системах M-As(Sb)-S-I
- Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла
- Морфология эпитаксиальных слоёв при неизотропной атомной диффузии : Моделирование
- Исследования электронных процессов в полупроводниках с областями пространственногол заряда
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : λ = 1.3-1.55 мкм
- Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе
- Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники
- Влияние молекулярного окружения кремниевых нанокристаллов на их фотолюминесцентные свойства
- Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
- Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом