- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324385 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (?10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
- Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения
- Электродинамика слоистых полупроводниковых структур для квантовых каскадных лазеров
- Видимая и ближняя инфракрасная фотолюминесценция тонких пленок гидрогенизированного кремния
- Неизотермические процессы в системах на основе кремния
- Высокочастотные и тепловые свойства идеальных и примесных антиферромагнитных диэлектриков
- Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
- Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
- Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях
- Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах