- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324385 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
- Особенности взаимодействия мощных ультракоротких лазерных импульсов с экситонами в квантовых нитях и точках
- Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs
- Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда
- Термодинамика и кинетика образования комплексов с участием вакансий в кремнии и германии
- Автоколебания и релаксации фототока в кремнии, легированном селеном
- Дефектная структура распадающихся полупроводниковых твердых растворов
- Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста
- Электропроводность тонких диэлектрических пленок с нанокристаллами кремния
- Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников