- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324385 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
- Структурные изменения в поликристаллических термоэлектрических твердых растворах халькогенидов Bi и Sb в зависимости от условиях их получения и обработки
- Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
- Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x < 0.175)
- Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния
- Субструктурные изменения высокоглиноземистых керамических диэлектриков в результате нейтронного облучения
- Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах
- Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs : Разработка технологии и исследование свойств
- Исследование неупругого рассеяния быстрых электронов на внутренних оболочках атомов гетерокомпозиций
- Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках