- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324385 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs
- Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2
- Высокочастотная фотопроводимость примесного германия в инфакрасной области спектра
- Оптические свойства и спектр локальных уровней твердых растворов TlGaS2-TlGaSe2
- Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите
- Свойства пленочных микро- и наноструктур с диэлектрическими слоями на основе оксидов редкоземельных элементов
- Концентрационные эффекты в многодолинных полупроводниках и их влияние на винтовую неустойчивость
- Кинетические свойства полупроводниковых кристаллов, легированных магнитными примесями
- Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6
- Получение и исследование электрофизических свойств объемных и пленочных материалов в тройной системе Co-Ge-Te