- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2004
Кількість сторінок:
189
Артикул:
136666 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: ? =0,78 - 1,3 мкм
- Локализованные состояния и флуктуации в графене
- Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
- Магнитооптика квантовых проволок и сужений с D-- и D-2-центрами
- Моделирование неомической электропроводности сильно неоднородных сред
- Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
- Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP
- Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками : Получение, свойства, лазеры
- Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al)As
- Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs