Оптические свойства фотонных кристаллов и волноведущих структур на их основе

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1 ФОТОННЫЕ КРИСТАЛЛЫ ОСНОВНЫЕ
СВОЙСТВА, ПЕРСПЕКТИВЫ IIРИМЕНЕНИЯ
1.1. Предельные возможности микроэлектронных устройств обработки информации.
1.2. Классификация и основные свойства фотонных кристаллов
1.2.1. Ш, и фотонные кристаллы.
1.3.2. Резонансные фотонные кристаллы
1.3. Материалы и технологии, используемые для создания
фотонных кристаллов
1.5. Применение фотонных кристаллов в интегральной
оптике
ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 2 МЕТОДЫ РАСЧЕТА ОПТИЧЕСКИХ
ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ
2.1. Метод разложения собственных мод фотонного кристалла по плоским волнам.
2.2. Зонная структура и распределение электромагнитного поля в 1 Б, и фотонных кристаллах.
2.2.1. Одномерные фотонные кристаллы.
2.2.2. Двумерные фотонные кристаллы
2.2.3. Трехмерные фотонные кристаллы.
2.3. Электромагнитное поле в фотонном кристалле с дефектом. Метод периодического продолжения решений.
ГЛАВА 3 СВОЙСТВА ЛОКАЛИЗОВАННЫХ МОД В
ВОЛНОВЕДУЩИХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ОДНОМЕРНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ
3.1. Метод матриц переноса.
3.2. Оптические свойства щелевого кремния
3.3. Структура брэгговского волновода на основе щелевого кремния
3.4. Дисперсия волноводных мод.
3.5. Коэффициент локализации волноводных мод.
3.6. Групповая скорость волноводных мод
ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 4 РЕЗОНАНСНЫЕ ФОТОННЫЕ КРИСТАЛЛЫ НА
ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ А3В5
4.1. Теория экситонных поляритонов в периодических полупроводниковых структурах в представлении вторичного квантования.
4.2. Гамильтониан прямых экситонов в сверхрешетках на
основе полупроводников А3В5
4.3. Гамльтониан фотонов в сверхрешетках.
4.4. Оператор электронфотонного взаимодействия
4.5. Закон дисперсии экситонных поляритонов в сверхрешетке на основе гетероструктуры .3.7
ВЫВОДЫ.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ПРИЛОЖЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА