Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ЭФФЕКТЫ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ ПРИМЕСНОЙ КОРРЕЛЯЦИИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПРИ МАЛЫХ 1 АТ. КОНЦЕНТРАЦИЯХ ПРИМЕСНОГО КОМПОНЕНТА ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.
1.1. Примесная корреляция в твердых растворах. Модельные представления.
1.2. Кулоновская примесная корреляция в полупроводниках. Модельные представления.
1.3. Примесная корреляция как результат деформационного взаимодействия примесных комплексов. Модельные представления. Выводы
ГЛАВА 2. ОСОБЕННОСТИ СОБСТВЕННОЙ ЮЛ У НАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ пТИПА, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ УПОРЯДОЧЕНИЕМ ПРИМЕСНЫХ КОМПЛЕКСОВ.
2.1. Методика эксперимента.
2.2. Методика анализа спектров краевой фотолюминесценции.
2.3. Анализ спектров фотолюминесценции монокристаллов ОаАягТе.
2.3.1. Область концентраций п0 2х,8см3.
2.3.2. Область концентраций п0 2х1Ксм3.
2.4. Модельные представления.
ГЛАВА 3. ТЕМПЕРАТУРНАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИХ И КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ пТИПА ПРИ УПОРЯДОЧЕНИИ ПРИМЕСНЫХ КОМПЛЕКСОВ.
3.1. Методика эксперимента.
3.2. Влияние уровня легирования на температурное поведение удельной теплоемкости и электропроводности монокристаллов ОаАзТе.
3.3. Исследование концентрационной и температурной зависимостей подвижности свободных носителей заряда в ОаАяТс.
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ПРОЦЕССЫ УПОРЯДОЧЕНИЯ ПРИМЕСНЫХ КОМПЛЕКСОВ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ пТИПА.
4.1. Особенности радиационного дефектообразования в ваАБ при уоблучении.
4.2. Влияние радиационного воздействия на фотолюминесценцию СаАБ.
4.2.1. Эффекты радиационностимулированного упорядочения в ваАз.
4.3. Методика эксперимента.
4.4. Влияние уоблучения на процессы примесного упорядочения в ваАзгТе.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность