- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Деградация структур металл-арсенид галлия
Тип роботи:
ил РГБ ОД 61
Рік:
1986
Артикул:
7513 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs
- Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A2B6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона
- Электрофизические процессы в диспергированных электрографических слоях на основе окиси-двуокиси (Рb3О4) и полифазной моноокиси (РbОn) свинца
- Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений
- Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3
- Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники
- Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
- Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом
- Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
- Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках