ОГЛАВЛЕНИЕ
ГЛАВА I. ТЕЛЛУР И ЕГО СВОЙСТВА обзор
1.1. Основнаые сведения о теллуре
1.2. Гальваномагнитные свойства теллура при низких
температурах
1.3 Исследование МОП структур на теллуре
ГЛАВА П. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В Те НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ОДОСЕИПОЛУПРОВОДНИК
ПЛ. Методика эксперимента
П.2. Экспериментальные результаты измерений С
и характеристик и определение параметров ПС
ГЛАВА Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫХ СВОЙСТВ ОБОГАЩННОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ТЕЛЛУРА В КВАНТУЮЩИХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
Ш.1. Методика эксперимента
Ш.2. Сильные квантующие магнитные поля. Экспериментальные результаты и их анализ
ГЛАВА 1У.КЛАССИЧЕСКИ СЛАБЫЕ МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ 1.
ИССЛЕДОВАНИЕ КВАНТОВЫХ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫХ ЭФФЕКТОВ НА ОБРАЗЦАХ Те С АС ПРИ СВЕРХНИЗКИХ
ДО 0,4 К ТЕМПЕРАТУРАХ
1УЛ. Анализ зависимости квантовых поправок к двумерной проводимости вырожденных носителей от
температуры и магнитног поля
1У.2. Обзор экспериментальных работ по исследованию квантовых поправок к двумерной проводимости
У.З. Квантовые поправки к проводимости двумерных
дырок в теллуре.
У.4. Результаты измерений магнитосопротивления образцов чистого Те с сильным АС. Предварительный анализ
У.5. Зависимость квантовых поправок от поверхность ной концентрации в АС и от температуры.
Качественное подтверкдение формулы У.4
У.6. Количественный анализ эффекта АПМС и обсуждение полученных результатов
ВЫВОДЫ
СПИСОК РАБОТ АВТОРА
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922