- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2010
Артикул:
325348 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников
- Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций в кремнии вблизи концентраторов напряжений
- Полупроводниковые приборы для быстрой коммутации больших мощностей и новые технологические методы их изготовления
- Исследование неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов
- Комплексное исследование полупроводниковых соединений Cu2-xS с использованием метода ЯКР 63,65Cu
- Моделирование роста полупроводниковых наноструктур A3B5 методами теории нуклеации
- Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров
- Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La_1-x Sr_x MnO_3 (X=0,175)
- Рост и спектрально-люминесцентные свойства монокристаллов Na0,4 (Y,R)0,6 F22 (R-редкоземельные ионы) в коротковолновом диапазоне длин волн