Ви є тут

Структуры металл - диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия

Автор: 

Ковчавцев Анатолий Петрович

Тип роботи: 

Дис. д-ра физ.-мат. наук

Рік: 

2003

Артикул:

7476

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Фотоиндуцированные изменения в светочувствительных халькогенидных стеклообразных полупроводниках
• Перенос носителей заряда в слоях пористого кремния с различной формой и поверхностным покрытием нанокристаллов
• Процессы испарения и кристаллизации окисных слоёв на германии
• Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
• Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите
• Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
• Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9
• Ионные дрейфово-диффузионные процессы в диэлектрических слоях МДП-структур
• Квазиклассическая динамика носителей заряда в сложных зонах полупроводников
• Разработка физических основ применения ионно-стимулированных процессов для синтеза и модификации оптических материалов