- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Структуры металл - диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия
Тип роботи:
Дис. д-ра физ.-мат. наук
Рік:
2003
Артикул:
7476 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы
- Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры
- Электронный транспорт в субмикронных кольцевых интерферометрах на основе GaAs полупроводниковых гетероструктур
- Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе
- Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных полупроводниковых систем
- Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
- Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов
- Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений
- Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений
- Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов бора