- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Структуры металл - диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия
Тип роботи:
Дис. д-ра физ.-мат. наук
Рік:
2003
Артикул:
7476 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик
- Субструктура и оптические свойства гетероструктур на основе А3В5
- Туннельные и магнитные спин-зависимые эффекты в кубических полупроводниках без центра инверсии
- Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений AIIIBV, полученные методом реактивного ионного травления
- Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе
- Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80 Si20, полученных при разных уровнях гравитации
- Термоэлектрические свойства гетерофазных структур
- Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик
- Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx