- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2008
Кількість сторінок:
184
Артикул:
7202 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Люминесцентные свойства слоев кремния, наноструктурированных путем облучения ионами электрически неактивных элементов
- Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)
- Акустоэлектронное детектирование и усиление сигналов в знакопеременном электрическом поле
- Теплопроводность халькогенидов свинца и твердых растворов на основе PbTe
- Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe
- Исследование энергетических и временных параметров фазовых переходов в халькогенидном соединении Ge2Sb2Te5
- Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3
- Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения
- Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
- Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения