- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2008
Кількість сторінок:
184
Артикул:
7202 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x
- Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия
- Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов
- Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками : Получение, свойства, лазеры
- Метод расчета и моделирования функциональных схем
- Електронна поляризовність одновісно навантажених кристалів K2Zn4Cl4 з несумірною фазою
- Температурная зависимость теплоемкости твердых растворов системы арсенид галлия - фосфид индия - арсенид индия в области 5 - 300 К.
- Спектроскопия колебательных состояний в соединениях со структурой шеелита и твердых растворов на их основе
- Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2#S4 и ZnAl2#S4