- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2008
Кількість сторінок:
184
Артикул:
7202 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe
- Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5
- Электронное состояние поверхности GaAs и InP : Диагностика, управление, пассивация
- Электронные и оптические явления в системах кремниевых нанокристаллов
- Исследование эффектов пространственной неоднородности накачки и оптического поля в полосковых инжекционных лазерах и полупроводниковых оптических усилителях
- Физико-математические модели многопараметровых электроемкостных систем для исследования диэлектриков
- Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов CaInAsSb
- Дырочные состояния в кубических полупроводниках и в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах
- Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова
- Комплексообразование в кремнии, легированном селеном