- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2008
Кількість сторінок:
184
Артикул:
7202 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
- Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
- Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs
- Исследование фотолюминесценции легированных композитных пленок PbSe и твердых растворов Pb1-xCdxSe
- Моделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии
- Структурно-компенсационный фактор радиационной стойкости высокоглиноземистых керамических диэлектриков
- Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Механизм насыщения поглощения в монокристаллах селенида цинка
- Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда
- Математические модели процессов, протекающих на границе \"полупроводник - газ\" и межфазных границах структуры \"металлическая плёнка - полупроводник\", помещённой в активный газ