- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2008
Кількість сторінок:
184
Артикул:
7202 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Моделирование роста полупроводниковых наноструктур A3B5 методами теории нуклеации
- Электронно-энергетическое строение и субструктура нанослоев SnOx
- Исследование воияния антеркалирования и состояния поверхности на оптические свойства кристаллов селенида галлия
- Кинетические и контактные явления в анизотропных и неоднородных полупроводниках
- Моделирование спектров фотопропускания и фотоотражения квантоворазмерных гетероструктур
- Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоёв при МЛЭ и вакуумном отжиге
- Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)
- Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами
- Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии
- Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла