- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2008
Количество страниц:
184
Артикул:
7202 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Неупругое туннелирование куперовских пар с участием фононов в с- направлении в одиночных и стопочных контактах на микротрещине в Bi-Sr-Ca-Cu-O
- Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе
- Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками
- Исследование зарядопереноса в структурах металл-анодный окисел металла-полупроводник
- Спиновые и кинетические явления в наноструктурах и графене
- Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе Z-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
- Диэлектрическая релаксация и процессы переключения в сегнетоэлектриках в быстронарастающих сильных электрических полях
- МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле
- Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля
- Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs