- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2008
Количество страниц:
184
Артикул:
7202 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в тв#рдых растворах на основе висмута
- Особенности энергетических спектров и рассеяния электронов проводимости в полупроводниках в квантующих магнитных полях
- Видимая и ближняя инфракрасная фотолюминесценция тонких пленок гидрогенизированного кремния
- Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра
- Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN
- Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs
- Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
- Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники
- Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
- Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs