Ви є тут

Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами

Автор: 

Терещенко Олег Евгеньевич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

2013

Артикул:

324350

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
• Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
• Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур
• Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe
• Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров
• Атомная и электронная структура наноформ на основе кремния
• Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
• Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон : на примере системы ZnS-ZnSe
• Транспортные свойства твердотельных электронных биллиардов
• Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si