- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2013
Артикул:
324350 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
- Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур
- Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe
- Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров
- Атомная и электронная структура наноформ на основе кремния
- Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
- Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон : на примере системы ZnS-ZnSe
- Транспортные свойства твердотельных электронных биллиардов
- Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si