Ви є тут

Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами

Автор: 

Терещенко Олег Евгеньевич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

2013

Артикул:

324350

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p +-n-переходом
• Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях
• Исследование ловушек и электронного транспорта в оксидокремниевых композитах
• Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
• Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
• Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур
• Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния
• Явления переноса в полупроводниковых пленках
• Образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами редкоземельных элементов
• Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии