Метод расчета и моделирования функциональных схем

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ОБЗОР
1.1. Функциональные схемы с объемной связью
1.2. Зарядовая концепция.
1.3. Метод заряда для расчета статических и
динамических характеристик в транзисторе
1.4. Модели компонентов для машинного проектирования функциональных схем.
ГЛАВА П. ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОМЕРНЫХ ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ.
ВВЕДЕНИЕ
2.1. Обоснование необходимости модификации
метода заряда.
2.2. Анализ диодов с сильнолегированными
базами
2.3. Анализ диодов с высокоомной базой
2.4. Эффект отрицательного дифференциального
сопротивления в диоде Шоттки.
2.5. Полупроводниковый прибор элемент
управляемый градиентом заряда
ГЛАВА Ш. СТАТИСТИЧЕСКИЕ И ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДВУМЕРНЫХ АКТИВНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СХЕМ С ПЛАЗМЕННОЙ СВЯЗЬЮ .
ВВЕДЕНИЕ
3.1. Функциональное разбиение и модель
функциональных схем с квазидвумерной структурой.
3.2. Элемент считывать на модуляционных
транзисторах с плазменной связью
Стр.
3.3. Статистические и динамические характеристики КЕазигоризонтального биполярного транзистора.
3.4. Статистические и динамические характеристики горизонтальных структур с
перехватом тока
3.5. Приборы с плазменной связью на модуляционных транзисторах. П
ГЛАВА У. МОДЕЛИРОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СХЕМ С
ПЛАЗМЕННОЙ СВЯЗЬЮ. .
ВВЕДЕНИЕ
4.1. Зарядоуправляемая модель горизонтального
транзистора
4.2. Модель элемента плазменной связи на
модуляционных транзисторах.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА