Вы здесь

Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs

Автор: 

Самойлов Виктор Александрович

Тип работы: 

кандидатская

Год: 

2000

Количество страниц: 

114

Артикул:

1000292194

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3 В5 с низкой термодинамической устойчивостью
• Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
• Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия
• Калорические, термические и электрофизические свойства твердых растворов Ba1-xCexTiO3
• Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
• НЕЛИНЕЙНАЯ ДИНАМИКА ШНУРОВ ТОКА И ФРОНТОВ ИОНИЗАЦИИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ КЛЮЧЕВОГО ТИПА
• Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений
• Лазерная спектроскопия неравновесных процессов в полупроводниковых квантовых нитях и точках
• Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование)
• Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе