Ви є тут

Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия

Автор: 

Гафиатулина Елена Саугановна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197564

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе
• Электронные спектры Cd Ga/2 Se/4 и Cd Ga/2 S/4 в области 2- 6 эВ
• Исследование неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов
• Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом
• Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний
• Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
• Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных плёнок
• Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
• Фотонамагничивание магнитных полупроводников и диэлектриков
• Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs