Ви є тут

Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия

Автор: 

Гафиатулина Елена Саугановна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197564

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
• Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi
• Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия
• Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами
• Арсенид галлия : Радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения
• Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
• Морфология гетерограниц и транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешёточными барьерами
• Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
• Явления электронного переноса при низких температурах
• Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии