Ви є тут

Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия

Автор: 

Гафиатулина Елена Саугановна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197564

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
• Оптическая и магнитооптическая спектроскопия ZnSe и низкоразмерных гетеросистем на его основе
• Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла
• Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
• Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN
• Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO_2 на кремнии
• Электрические свойства сверхрешеток из квантовых точек
• Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
• Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов
• Особенности структуры ионоимплантированных слоев кремния, выявленные с помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения