Вы здесь

Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия

Автор: 

Гафиатулина Елена Саугановна

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000197564

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах
• Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
• Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
• Влияние адсорбционного покрытия поверхности кремниевых нанокристаллов на электронные и оптические свойства их ансамблей
• Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
• Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа
• Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерном электронном газе
• Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
• Исследование электрических и температурных характеристик планарно-диффузионных симисторных структур
• Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах