Вы здесь

Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия

Автор: 

Гафиатулина Елена Саугановна

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000197564

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Эффекты переключения мод в AlGaAs/InGaAs/GaAs полупроводниковых лазерах и интегрально-оптические модуляторы мощного излучения на их основе
• Транспорт носителей заряда в проводящих полимерах вблизи перехода металл-диэлектрик
• Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия
• Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния
• Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии
• Исследование влияния структурного совершенства и физико-химических обработок поверхности кремния на характеристики силовых диодов
• Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных полупроводниковых систем
• Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов
• Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений
• Исследование физической природы гетеропереходов органический-неорганический полупроводник и их применение