Вы здесь

Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов

Автор: 

Лакалин Александр Вячеславович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1999

Артикул:

1000217630

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5
• Акустические и упругие свойства твердых многокомпонентных диэлектриков
• Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия
• Неизотермические процессы в системах на основе кремния
• Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe
• Влияние электрического поля на электронные процессы в стеклообразных полупроводниках
• Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
• Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
• Электронные процессы в гетероструктурах на основе монокристаллического кремния и неупорядоченных материалов
• Дефектная структура распадающихся полупроводниковых твердых растворов