Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда

Содержание
Основные аббревиатуры и обозначения
1. Введение
2. Обзор литературы.
2.1 Диэлектрические пленки в технологии СБИС .
2.2 Способы получения диэлектрических пленок .
2.3 Модели термического окисления кремния.
2.3.1 Модель термического окисления ДилаГроува
2.3.2 Модель Хана и Хелмса
2.3.3 Модель Массоуда
2.3.4 Модель МоттаКабреры
2.3.5 Модель ЛионаШафера .
2.3.6 Модель Хамасаки
2.3.7 Модель Вонга и Ченга
2.3.8 Модель Ревеша .
2.3.9 Модель Арсламбскова .
2.3. Модель Уематсу
2.3.1 I Модели Гадияка, Альмейды и Крземински
2.4 Быстрое термическое окисление.
2.5 Влияние механических напряжений на кинетику термического окисления кремния .
2.5.1 Модель Ирэна.
2.5.2 Модель ФаржеГибаудо
2.5.3 Модель Тиллера
2.6 Влияние ориентации кремниевой подложки
на кинетику термического окисления кремния .
2.7 Фиксированный заряд в системе кремнийдиоксид кремния
2.8 Выводы.
3. Методы решения систем диффузионнокинетических уравнений
3.1 Метод конечных разностей
3.2 Метод прогонки для решения тридиагональной
системы линейных алгебраических уравнений
4. Модель термического окисления кремния
4.1 Разработка объемной модели
4.2 Моделирование одностадийного термического
окисления кремния.
4.3 Моделирование быстрого термического
окисления кремния.
4.4 Моделирование многостадийного термического
окисления кремния.
4.5 Эффект ориентации поверхности кремния
4.6 Выводы.
5. Модель образования фиксированного заряда
5.1 Разработка инжекционной модели образования фиксированного заряда.
5.2 Моделирование образования фиксированного
заряда при термическом окислении и отжигах
5.3 Выводы
6. Заключение.
Список литературы