СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
Глава I. СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ НА
ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ РТУТИ Литературный
обзор .
.. Общая характеристика халькогенидов
1.2. Сплавы халькогенидов ртути с бинарными
соединениями группы А В
1.3. Общие физические свойства тройных
алмазоподобных полупроводников системы А1 В1 С .
Т.4 Общая характеристика сплавов четверных
полупроводниковых соединений .
1.5. Сплавы халькогенидов ртути с тройными
соединениями АВС
1.6. Дефекты решетки в халькогенидах ртути
и сложных соединениях на их основе .
Выводы
Глава И. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Получение сложных полупроводниковых соединений на основе халькогенидов ртути .
2.2. Подготовка образцов для измерений .
2.3. Методика структурных исследований .
2.4. Методика электрических,оптических и
фотоэлектрических измерений
2.5. Методика измерений длинновременных
релаксаций проводимости
2.6. Погрешности измерений .
стр.
Глава III. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ
V АПВУ1
3.1. Кристаллическая структура
3.2. Распределение состава по объему слитков
3.3. Электрические свойства I2x2x
3.4. Спектральные характеристики фотопроводимости в области края собственного поглощения
3.5. Фотопроводимость в I2x2x.
Экспериментальные результаты.
3.6. Обсуждение экспериментальных результатов
по фотопроводимости .
Выводы
Глава 1У. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ I2x2Ix
4.1. Влияние термической обработки на электрические свойства .
4.2. Остаточная проводимость кристаллов при
освещении коротковолновым светом .
4.3. Влияние ультрафиолетового и рентгеновского
излучения на электрические свойства
4.4. Кинетика остаточной проводимости при
ультрафиолетовом и рентгеновском облучении
4.5. Влияние электрического поля на электрические свойства кристаллов.
4.6. Возможные причины особенностей физических
свойств I2x2x
Выводы .
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ .
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922