Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In)

СОДЕРЖАНИЕ
Введение.
Глава I. Полупроводники на оспове РЬТе обзор литературыЮ
1.1 Свойства нелегированного РЬТе.
1.2 Влияние легирующих примесей на свойства РЬТе
1.2.1 Особенности легирования теллурида свинца.
1.2.2 Примесь индия в материалах на основе РЬТе
1.2.3 Теоретические модели.
1.3 Особенности фотоэлектрических и транспортных свойств поликристаллических полупроводников и наноструктур.
Глава II Методика эксперимента.
2.1 Исследованные образцы.
22 Измерительные установки.
2.2.1 Измерительные камеры.
2.2.2 Экспериментальные установки
Глава III Особенности транспорта и фотопроводимость в нанокристаллических
пленках РЬТе1п
3.1 Измерения в статических элскгричсских полях
3.2 Измерения в переменных электрических полях.
3.3 Обсуждение результатов
Глава IV Влияние окислении на транспортные свойст ва и фотопроводимость в
нанокристаллических пленках РЬГс1п.
4.1 Измерения в статических электрических полях
4.2 Измерения в переменных электрических полях.
4.3 Обсуждение результатов
Основные результаты и выводы.
Литература