Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O)

Оглавление
Список основных сокращений и обозначений
Введение
Глава 1. Фотоэмиссия электронов из полупроводников с отрицательным электронным сродством обзор литературы
1.1. Фотоэмиссия электронов из 0аАзС8,0
1.2. Фотоэмиссия электронов из ОаЫСз,0.
1.3. Постановка задачи.
Глава 2. Методика исследования фотоэмиссии электронов из полупроводника с отрицательным электронным сродством
2.1. Приготовление и консервация фотокатодов с отрицательным электронным сродством
2.2. Принципы измерений и описание измерительного стенда.
2.3. Методика измерения спектров квантовой эффективности.
2.4. Методика измерения энергетических распределений эмитированных электронов.
Глава 3. Исследование фотоэмиссии электронов из поверхностных состояний границы раздела р0аАзС5,0вакуум.
3.1. Проявление вклада электронов, эмитированных из поверхностных состояний, в спектре квантовой эффективности.
3.2. Механизмы формирования спектра квантовой эффективности фотоэмиссии электронов из поверхностных состояний
3.3. Влияние эффекта Шоттки на спектр квантовой эффективности
фотоэмиссии электронов из поверхностных состояний
Результаты и выводы главы 3
Глава 4. Исследование фотоэмиссии электронов из р0аЫСБ,0
4.1. Эмиссия электронов из состояний запрещнной зоны р0аМСз,0
4.2. Эмиссия электронов из состояний валентной зоны рСаМСз,0.
4.3. Энергетическая диаграмма границы раздела р0а1ЧС8,0вакуум.
Результаты и выводы главы 4.
Заключение. Основные результаты и выводы
Литература