- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2005
Кількість сторінок:
218
Артикул:
7381 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников
- Электрозвуковые поверхностные волны в кристаллах с однородной нестационарностью свойств и равномерным движением границ
- Исследование электрических и температурных характеристик планарно-диффузионных симисторных структур
- Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах
- Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
- Оптические свойства полупроводников со структурой типа TlSe
- Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров
- Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X?0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
- Исследование оптических характеристик полупроводниковых кристаллов с узкими энергетическими зонами
- Фазовые переходы в комплексных фторидных соединениях сурьмы