- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2005
Кількість сторінок:
218
Артикул:
7381 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Дефекты с глубокими уровнями в структурах А3В5 и их взаимодействие с квантовыми точками
- Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков
- Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2#S4 и ZnAl2#S4
- Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии
- Взаимодействие зарядов на границах раздела конденсированных сред и в слоистых системах
- Метастабильность состояния в легированных бором и фосфором пленках a-Si:H, возникающие под влиянием внешних воздействий
- Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
- Акустические и упругие свойства твердых многокомпонентных диэлектриков
- Математические модели процессов, протекающих на границе полупроводник - газ и межфазных границах структуры металлическая плёнка - полупроводник, помещённой в активный газ
- Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур