Ви є тут

Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ

Автор: 

Кеслер Валерий Геннадьевич

Тип роботи: 

диссертация кандидата физико-математических наук

Рік: 

2005

Кількість сторінок: 

218

Артикул:

7381

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами
• Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов
• Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
• МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле
• Изучение низкоразмерных структур металлов (Au, In и Mn) на поверхности кремния
• Инфразвуковая диэлектрическая спектроскопия неполярных и полярных фторсодержащих полимерных пленок
• Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
• Накопление дефектов в облучаемом ионами кремнии при пониженной плотности каскадов смещений
• Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами
• Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе