Содержание
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА.1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Полупроводниковые ВИЛ современное состояние
1.2. Принцип действия и основные особенности ВИЛ
1.3. Элементарная модель функционирования ВИЛ
1.4. Базовая конструкция ВИЛ спектрального диапазона 0 им
1.5. Проблемы создания длинноволновых ВИЛ.
1.6. Матричные излучатели на основе ВИЛ.
1.7. Вертикальноизлучающие лазеры на основе квантовых точек
ГЛАВА.2. ОСНОВНЫЕ ЭТАПЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ВИЛ
2.1. Проектирование ВИЛ
2.2. Моделирование растекания тепла .
2.3. Моделирование оптического микрорезоиатора
2.4. Транспорт носителей к активной области
2.5. Моделирование растекания тока для ВИЛ с
внутрирезонаторными контактами
ГЛАВА.З. РАЗВИТИЕ БАЗОВЫХ ЭЛЕМЕН ТОВ ТЕХНОЛОГИИ ВИЛ
3.1. Получение структур ВИЛ методом молекулярнопучковой эпитаксии
3.2. Оптимизация технология селективного окисления структур ВИЛ
3.3. Технология ВИЛ с внутрирезонаторной инжекцией носителей
3.4. Матричные излучатели на основе ВИЛ
ГЛАВА.4. ВИЛ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 1.3 МКМ НА ОСНОВЕ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ТпАбЛпОзАб
4.1. Активная область на основе массивов самоорганизующихся
КТ ЫАБЛпСаАБ для излучателей спектрального диапазона
1.3 мкм на подложках СаАБ
4.2. Выбор конструкции КТ ВИЛ
4.3. Результаты экспериментальной реализации КТ ВИЛ 2 ГЛАВА.5. ВИЛ НА ОСНОВЕ СУБМОНОСЛОЙНЫХ КТ 1пОаАБ
5.1. Изготовление и исследование ВИЛ на основе субмонослойных 1гЮаАБ КТ
5.2. Явления самопульсации в ВИЛ на основе СМЛ КТ ЫАбЛпСэАб 5 ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922