- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
Тип работы:
Кандидатская
Год:
2013
Артикул:
324427 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe
- Субструктурные изменения высокоглиноземистых керамических диэлектриков в результате нейтронного облучения
- Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния
- Неравновесная проводимость полупроводников и структур металл - полупроводник - металл
- Дырочный транспорт и накопление радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле моп-структур при криогенных температурах
- Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs
- Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe
- Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов
- Исследование термоэлектрических свойств материалов Р-типа на основе соединений магния с элементами четвертой группы
- Выращивание, структурные особенности и свойства монокристаллов кремния с заданной двойниковой структурой