Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1 ПРОЦЕССЫ ЭЛЕКТРОННОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ АКТИВНЫМИ ГАЗАМИ И СОПУТСТВУЮЩИЕ ЭФФЕКТЫ
1.1 Гетерогенные химические реакции, ответственные за
электронное возбуждение полупроводников
1.2 Структура поверхности полупроводников
1.3 Поверхностные электронные состояния
1.4 Адсорбция молекул на поверхности полупроводников.
1.5 Десорбция атомов.
1.6 Гетерогенная рекомбинация атэдюв.,ч.
1.7 Возможные механизмы гецреакций на поверхности полупроводников
1.8 Радикалорекомбинационная люминесценция полупроводников
1.9 Динамический эффект гетерогенной химической реакции
1. Методы исследования поверхности и процессов,
происходящих на границе твердых тел и активных газов.
1.1 остановка задачи
ГЛАВА 2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ
ИССЛЕДОВАНИЙ.
2.1 Экспериментальная установка
2.2 Образцы
2.3 Методика эксперимента
ГЛАВА 3 ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОФОСФОРОВ, ПОМЕЩЕННЫХ В СРЕДУ ДИССОЦИИРОВАННЫХ НА
РАДИКАЛЫ ГАЗОВ.
3.1 Введение.
3.2 Радикалорекомбинационная люминесценция крис таллофосфора, помещенного в среду диссоциированного углекислого газа
3.3 Свечение люминофора в среде диссоциированных паров
3.4 Вспышки РРЛ при импульсной модуляции концентрации радикалов.
3.5 Влияние бомбардировки поверхности полупроводников заряженными частицами на скорость гетерогенной реакции ННН2 и интенсивность, возбуждаемой ею радикалорекомбинационной люминесценции.
3.6 Влияние ионизирующих облучений твердых тел заряженными час гидами на адсорбцию и рекомбинацию радикалов и
сопутствующие эффекты.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ А МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ КИНЕТИКИ РАДИКАЛОРЕКОМБИИАЦИОШЮЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ
ПОЛУГПЮВОДНИКОВ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ