- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2008
Артикул:
7226 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой
- Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении
- Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе
- Полупроводниковые элементы интегральной оптики, полученные с использованием ионно-плазменного напыления
- Спектроскопия самоорганизующихся INAS/GAAS квантовых точек в полупроводниковых лазерных структурах
- Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
- Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
- Халькогениды элементов четвертой группы
- Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм
- Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах. Часть 2