Ви є тут

Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки

Автор: 

Коростелев Дмитрий Александрович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2012

Артикул:

1005428800

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
• Управление концентрацией свободных носителей заряда в кремниевой наноструктуре
• Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
• Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)
• Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения
• Структурная модификация свойств пленок аморфного углерода
• Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
• Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
• Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе Z-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда