Ви є тут

Доменная структура многоосных сегнетоэлектрических кристаллов и ее формирование при фазовых переходах

Автор: 

Гавриляченко Виктор Георгиевич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000196033

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Прочность и долговечность волоконных световодов на основе кварцевого стекла
• Исследование локального магнитного порядка и спиновых флуктуаций методом ядерного резонансного рассеяния синхротронного излучения
• Взаимодействие внедренных атомов в металлах IVБ и VБ групп : первопринципные расчеты
• Влияние легирования на поведение гелия и развитие газовой пористости в ОЦК и ГЦК материалах
• Влияние сверхтвердой углеродной пленки нанометровой толщины, полученной импульсным вакуумно-дуговым методом, на микротвердость композиции покрытие-подложка
• Теоретическое исследование электронной структуры интерметаллического соединения никелид титана
• Исследование влияния деформации на структуру кристаллов сульфида и селенида цинка методом ЭПР
• Электронные свойства атомарно-резкой границы раздела полупроводников
• Радиационно-гальванические эффекты, обусловленные малоинтенсивным Z-излучением в фуллерите С60 и донорно-акцепторных комплексах на его основе
• Распад электронных возбуждений в ЩГК с гомологической примесью