Ви є тут

Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур на основе соединений A3 B5

Автор: 

Альперович Виталий Львович

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000207329

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Принципы построения и свойства гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера
• Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
• Миграция электронных возбуждений и формирование спектров люминесценции в пространственно-неоднородных полупроводниковых структурах A3B5
• Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения
• Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4
• Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбидов кремния
• Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе
• Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe
• Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe