Ви є тут

Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур на основе соединений A3 B5

Автор: 

Альперович Виталий Львович

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000207329

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электронное состояние поверхности GaAs и InP : Диагностика, управление, пассивация
• Исследование энергетических структур твердых тел тензорным методом
• Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2
• Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
• Энергетический спектр гетероструктур GaAs/GaP и GaSb/GaP
• Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
• Субмиллиметровая спектроскопия двумерных полупроводниковых структур в сильном магнитном поле
• Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях
• Механизм насыщения поглощения в монокристаллах селенида цинка
• Высокочастотная фотопроводимость примесного германия в инфакрасной области спектра