Ви є тут

Частотные свойства и характеристики обратносмещенных коммутационных pin-диодных структур

Автор: 

Дроздовская Людмила Михайловна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1997

Артикул:

1000197288

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Твердотельные ядерные магнито-резонансные (ЯМР) ансамблевые квантовые компьютеры : Исследования физических основ и проблем реализации
• Формирование диэлектрических слоев интегральных схем методами химического осаждения
• Разработка и исследование технологии изготовления подложек из монокристаллического сапфира для элементов электронной техники
• Разработка литографических методов и спецоборудования для создания СБИС и транзисторных структур с субмикронными размерами элементов
• Проектирование структуры межсоединений программируемых логических интегральных схем
• Электрофизические свойства и природа локализованных состояний в гетеропереходах на основе a-Si
• СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах
• Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx, синтезированных различными методами
• Фасетирование при локальной твердофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на кремнии
• Теоретический анализ и экспериментальное исследование функционирования сверхвысокочастотных интегральных схем на арсениде галлия при воздействии радиационных и электромагнитных излучений