Ви є тут

Частотные свойства и характеристики обратносмещенных коммутационных pin-диодных структур

Автор: 

Дроздовская Людмила Михайловна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1997

Артикул:

1000197288

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием
• Однослойные углеродные нанотрубки и некоторые композиты на их основе
• Фасетирование при локальной твердофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на кремнии
• Электронные и оптические свойства резонансных состояний мелких примесей в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах AIIIBV
• Закономерности релаксации упругих напряжений и диффузия в псевдоморфных SiGe/Si структурах
• Исследование и модификация наноструктур с использованием токовых режимов зондовой микроскопии и литографии
• Получение и исследование тонких пленок нитрида алюминия и фотоприемных структур на их основе
• Разработка и исследование конструкции и технологии высокоэффективных термоэлектрических устройств
• Електронний транспорт та квантово-розмірні ефекти в резонансно-тунельному діоді
• Моделирование дозовых отказов КМОП ИС с учетом условий эксплуатации в космической аппаратуре