Методы и средства измерения шумовых и малосигнальных параметров мощных биполярных транзисторов для целей контроля их качества

Содержание
Введение 4.
Глава 1. Неразрушающий контроль качества мощных биполярных ВЧ н СВЧ транзисторов но шумовым и малосигнальным параметрам
1.1. Конструкционнотопологические и функциональные
особенности мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов
1.2. Контроль качества МВТ по нелинейностям ВАХ и
малосигнальным параметрам
1.2.1. Контроль тепловых и предельных параметров МВТ
1.2.2. Контроль качества МВТ по производным ВАХ
1.2.3. Контроль качества МВТ по малосигнальным параметрам
1.3. Контроль качества мощных транзисторов по собственным шумам
1.3.1. Виды шумов в мощных биполярных транзисторах
1.3.2. Эквивалентные шумовые схемы и шумовые параметры МВТ
1.3.3. Модели связи шумовых параметров с дефектами приборов
1.4. Анализ методов измерения шумовых параметров транзисторов
1.4.1. Метод непосредственной оценки
1.4.2. Корреляционный метод
1.4.3. Шумовые измерения в импульсном режиме
1.4.4. Измерение эквивалентного шумового напряжения е2 и эквивалентного шумового тока
1.5. Выводы Глава 2. Оптимизация процедуры и средст в экспериментального исследования шумовых параметров мощных ВЧ и СВЧ транзисторов
2.1. Измерение шумовых параметров методом непосредственной оценки
2.2. Измерение шумовых параметров методом удвоения
2.2.1. Схема и процедура измерения
2.2.2. Оценка статистических погрешностей при измерении шумов методом удвоения
2.3. Экспериментальная установка и методика исследования собственного шума МВТ
2.3.1. Требования к каскадам усиления и преобразования шумового сигнала
2.3.2. Описание экспериментальной установки
2.4. Результаты экспериментального исследования собственного шума мощных ВЧ и СВЧ транзисторов
2.5. Выводы
Глава 3. Диагностика неоднородного токораепределення в мощных биполярных транзисторах на основе двухсекционной эквивалентной шумовой схемы
3.1. Особенности расчета шумовых параметров современных
э
биполярных транзисторов
3.2. Теоретическое обоснование метода двухсекционная шумовая
модель мощного биполярного транзистора
3.3. Оценка возможностей и погрешностей метода
3.4. Выводы
Глава 4. Контроль однородности токораспределения мощных биполярных транзисторов но зависимости коэффициента внутренней обратной связи ИпГ от напряжения коллектора
4.1. Влияние неоднородного токораспределения в транзисторных структурах на коэффициент внутренней обратной связи по напряжению
4.1.1. Анализ стационарного неизотермического токораспределения в симметричных транзисторных структурах с дефектами
4.1.2. Зависимость коэффициента внутренней обратной связи
по напряжению от коллекторного напряжения в МБТ с дефектами
4.1.3. Устойчивость токораспределения в структурах мощных биполярных транзисторов с дефектами
4.2. Контроль тепловых свойств мощных транзисторов по малосигнальным параметрам
4.2.1. Измерение теплового импеданса транзисторов
4.2.2. Применение комбинации гармонической и линейно нарастающей греющей мощности
4.3. Автоматический контроль температурной границы области безопасных режимов мощных биполярных транзисторов
4.4. Выводы 1
Глава 5. Экспериментальное исследование информативности шумовых и малосигнальных параметров для целей отбраковки мощных биполярных транзисторов 1
5.1. Выбор п обоснование информативных параметров
5.2. Экспериментальная проверка информативности предложенных шумовых параметров мощных биполярных транзисторов
5.3. Отбраковка мощных транзисторов по совокупности
тепловых и шумовых параметров
5.4. Методики отбраковки потенциально ненадежных мощных транзисторов
5.5. Выводы
Заключение
Список литературы