ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ТШЗОМЕТРИЧЕСКИЕ ДАТЧИКИ ДАВЛЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЕ ИХ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ В ПОЧВЕ
1.1. Основные требования к конструкции и параметрам тензометрических датчиков и специфика их использования для измерения в почве .
1.2. Анализ тензометрическсго метода преобразования механического напряжения в электрический сигнал
1.3. Современное состояние техники измерения давления в почве. Первый образец полупроводникового почвенного тензометра .
1.4. Оценка тензометрической чувствительности перспективных полупроводниковых материалов .
Выводы к главе I .
ГЛАВА 2. КОНСТРУКЦИЯ И ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ ТЕНРЕЗИСТОРАМИ
2.1. Устройство и принцип действия датчика давления
2.2. Определение параметров первичного преобразователя давления мембраны, выполненной за одно целое с корпусом.
а Общие требования к упругим элементам первичным преобразователям давления
б Расчет прогибов, напряжений и деформаций в мембране, изготовленной за одно целое с корпусом,в области малых и больших прогибов .
Стр.
2.3. Свойства полупроводникового чувствительного элемента, технология его изготовления, его параметры
а Технология изготовления полупроводниковых тензорезисторов .
б Основные характеристики полупроводниковых тензорезисторов .
2.4. Чувствительность датчика давления с полупроводниковыми тензорезисторами при мостовой
схеме включения их
а Расчет чувствительности датчика
б Оценка максимальной нелинейности измерительной схемы датчика .
в Зависимость чувствительности датчика от
температуры
ШАМ 3. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ
3.1. Исследование характеристик датчика давления
а Исследование статической характеристики
б Влияние изменения напряжения питания на чувствительность датчика давления
в Экспериментальное исследование температурного дрейфа нуля
г Определение температурной зависимости коэффициента тензочувствительности приклеенных кремниевых тензорезисторов
д Исследование стабильности датчика давления
е Расчет собственной частоты датчика .
ж Исследование чувствительности датчика к боковому давлению
з Основные параметры датчика давления.
3.2. Погрешность измерения
а Систематические и случайные погрешности измерения
б Расчет допустимого разброса температурных коэффициентов сопротивления тензорезисторов, исходя
из заданной погрешности измерения
в Оценка разброса эксплуатационных характеристик полупроводниковых датчиков давления при их изготовлении опытными партиями
Выводы к главе 3
ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА МНОГОТОЧЕЧНОЙ ПОЛЕВОЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ УСТАНОВКИ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ ДАТЧИКАМИ ДАВЛЕНИЯ
4.1. Электрическая схема и техническое исполнение многоточечной полевой измерительной установки
с полупроводниковыми датчиками давления
4.2. Физическая сущность измерения напряжений в грунте и влияние способа укладки датчиков на точность измерения
4.3. Некоторые варианты разработанных конструкций полупроводниковых датчиков давления повышенной чувствительности для измерения давления в почве
Стр.
Биводы к главе 4
ГЛАВА 5. МЕТОДИКА И РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ДАВЛЕНИЯ ПОД ДВИЖИТЕЛЯМИ СЕЛЬХОЗТЕХНИКИ
5.1. Влияние давления, создаваемого движителями мобильной сельхозтехники, на уплотнение почвы и урожайность сельскохозяйственных культур
5.2. Методика экспериментального исследования напряжения в почве под движителями сельскохозяйственной техники.
5.3. Результаты экспериментального исследования расцределения давления под движителями сельскохозяйственной техники
ВЫвсды к главе 5 .
ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ВЫВОДЫ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922